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Jede Zelle ist ein Transistor mit einer isolierten Schicht („Floating Gate" oder Charge-Trap), in der Elektronen gefangen werden. Die Ladungsmenge bestimmt, ob die Zelle als 0 oder 1 gelesen wird. Der Name NAND kommt von der Verschaltung der Zellen in Reihe (wie ein logisches NAND-Gatter).
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