NAND flash
Kısaca: NAND flash, SSD’lerdeki, USB belleklerdeki ve SD kartlardaki bellektir. Verileri transistör hücrelerinde elektrik yükü olarak saklar; bu yük güç olmadan da korunur.
Biraz daha ayrıntılı: Her hücre, elektronların hapsedildiği yalıtılmış bir katmana (“floating gate” veya charge trap) sahip bir transistördür. Yük miktarı hücrenin 0 mı 1 mi okunacağını belirler. NAND adı, hücrelerin seri bağlanmasından gelir (mantıksal bir NAND kapısı gibi).
Ayrıntılı
Bir SSD nasıl saklar:
- Yazma (programlama): Yüksek gerilimle elektronlar yalıtkan katmandan floating gate’e “tünellenir”.
- Okuma: Küçük bir test gerilimi hücrenin iletip iletmediğini ölçer. Eşik gerilimi durumu ele verir.
- Silme: Yük tekrar çekilir, yalnızca blok blok (blok = birkaç MB); yazma ise sayfa sayfa yapılır (sayfa = 4 – 16 KB).
- Hareketli parça yok: Bu yüzden sessiz, darbeye dayanıklı ve son derece kısa erişim sürelidir.
Hücre türleri (hücre başına bit):
| Tür | Bit | Yazma çevrimi | Yoğunluk | Hız | Kullanım |
|---|---|---|---|---|---|
| SLC | 1 | ~100.000 | düşük | çok yüksek | Endüstri, önbellek |
| MLC | 2 | ~10.000 | orta | yüksek | Profesyonel |
| TLC | 3 | ~1.000 – 3.000 | yüksek | iyi | Standart SSD’ler |
| QLC | 4 | ~100 – 1.000 | çok yüksek | daha düşük | Ucuz büyük SSD’ler |
3D NAND: Hücreler 100 ila 300 katmanda üst üste dizilir. Hücrelerin daha fazla küçülmesine gerek kalmadan kapasite artar.
Denetleyici: Her SSD’nin görevleri olan bir denetleyicisi vardır:
- Aşınma dengeleme (wear leveling): Yazmaları eşit dağıtır, böylece hiçbir hücre erken aşınmaz.
- Çöp toplama (garbage collection): Kısmen geçersiz veri içeren blokları düzenler.
- TRIM: İşletim sistemi boş alanları bildirir, denetleyici bunları önceden siler.
- Hata düzeltme (ECC) ve yedek hücreler (over-provisioning).
- SLC önbelleği: Bir kısım önce hücre başına 1 bitle hızlı yazar, sonra yeniden düzenlenir.
Sınırlar:
- Sınırlı yazma çevrimi. Ölçü: TBW (yazılan terabayt). Normal kullanıcılar nadiren ulaşır.
- Silinen verilerin üzerine yazmak zordur (güvenli silme yalnızca secure erase veya şifreleme ile).
- Yük yıllar içinde sızabilir (güçsüz veri saklama süresi sıcaklığa bağlı olarak 1 – 10 yıl).
Karşılaştırma: NAND flash, “SSD”nin arkasındaki teknolojidir; SATA/NVMe yalnızca bağlantıdır. Karşılığı NOR flash’tır (daha hızlı okuma, doğrudan yürütülebilir, daha küçük boyut; örneğin BIOS çipleri).
Ayrıca bak: SSD’ler, SSD’lerde aşınma dengeleme, SATA, PCIe ve NVMe karşılaştırması